MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
ID Code: | 185252 |
Výrobce: | Microchip Technology |
Cena s DPH : | 48 249,3550 Kč |
Cena bez DPH : | 39 875,5000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | MSCSM120AM03CT6LIAG |
Jednotka:: | ks |
množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 39 875,5000 Kč | 48 249,3550 Kč | ||
5 + | 38 213,9900 Kč | 46 238,9279 Kč | ||
10 + | 36 552,5200 Kč | 44 228,5492 Kč | ||
25 + | 34 891,0400 Kč | 42 218,1584 Kč |
Značení výrobce | MSCSM120AM03CT6LIAG |
Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
Typ materiálu: | SiC Full |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
Typ pouzdra: | MODUL |
Pouzdro: | SP6LI |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 350 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 6 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 805 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 805 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 640 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
IR (zpětný proud) | 1200 [µA] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 3215 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 3.1 [mΩ] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 2320 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 30200 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
Rthjc1 IGBT | 0.047 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.126 [°C/W] |
W - Šířka | 62 [mm] |
L - Délka | 108 [mm] |
H - Výška | 22 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x22 [mm] |
![]() |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm
| na dotaz Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
![]() |
SP6CA1 Deska adaptéru pro 1200V SP6LI moduly řízené budičem 2ASC-12A1HP ID: 185302 Zn.výrobce: SP6CA1
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
![]() |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Zn.výrobce: ASBK-014
| Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
![]() |
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem ID: 185559 Zn.výrobce: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
![]() |
ASBK-015 Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče ID: 185841 Zn.výrobce: ASBK-015
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
![]() |
2ASC-12A2HP Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V ID: 189282 Zn.výrobce: 2ASC-12A2HP
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |