- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM03CT6LIAG
MSCSM120AM03CT6LIAG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 185252 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 48 249,3550 Kč |
| Cena bez DPH : | 39 875,5000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120AM03CT6LIAG |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 39 875,5000 Kč | 48 249,3550 Kč | ||
| 5 + | 38 213,9900 Kč | 46 238,9279 Kč | ||
| 10 + | 36 552,5200 Kč | 44 228,5492 Kč | ||
| 25 + | 34 891,0400 Kč | 42 218,1584 Kč |
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM120AM03CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Vlastnosti zařízení MSCSM120AM03CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120AM03CT6LIAG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP6LI |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 350 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 6 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 805 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 805 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 640 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 1200 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 3215 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 3.1 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2320 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 30200 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.047 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.126 [°C/W] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| H - Výška | 22 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x22 [mm] |
Související zboží - MSCSM120AM03CT6LIAG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm
| na dotaz Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
 |
SP6CA1 Deska adaptéru pro 1200V SP6LI moduly řízené budičem 2ASC-12A1HP ID: 185302 Zn.výrobce: SP6CA1
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Zn.výrobce: ASBK-014
| Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem ID: 185559 Zn.výrobce: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-015 Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče ID: 185841 Zn.výrobce: ASBK-015
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
2ASC-12A2HP Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V ID: 189282 Zn.výrobce: 2ASC-12A2HP
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.