- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM03CT6LIAG
MSCSM120AM03CT6LIAG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 185252 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 46 319,2840 Kč |
| Cena bez DPH : | 38 280,4000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120AM03CT6LIAG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 38 280,4000 Kč | 46 319,2840 Kč | ||
| 5 + | 36 685,3700 Kč | 44 389,2977 Kč | ||
| 10 + | 35 090,3500 Kč | 42 459,3235 Kč | ||
| 25 + | 33 495,3400 Kč | 40 529,3614 Kč |
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM120AM03CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Vlastnosti zařízení MSCSM120AM03CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120AM03CT6LIAG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | SP6LI |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 350 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| UDS | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 640 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 1200 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 3215 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2320 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 30200 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 108x62x22 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.047 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.126 [°C/W] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| H - Výška | 22 [mm] |
Související zboží - MSCSM120AM03CT6LIAG
 |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Celkem skladem: 9444 Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
 |
SP6CA1 Deska adaptéru pro 1200V SP6LI moduly řízené budičem 2ASC-12A1HP ID: 185302 Zn.výrobce: SP6CA1
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Zn.výrobce: ASBK-014
| Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem ID: 185559 Zn.výrobce: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-015 Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče ID: 185841 Zn.výrobce: ASBK-015
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
2ASC-12A2HP Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V ID: 189282 Zn.výrobce: 2ASC-12A2HP
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.