- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM08CT3AG
MSCSM120AM08CT3AG
Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1200V / 337A
| ID Code: | 188006 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 18 171,417000 Kč |
| Cena bez DPH : | 15 017,700000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120AM08CT3AG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 15 017,700000 Kč | 18 171,417000 Kč | ||
| 5 + | 14 391,960000 Kč | 17 414,271600 Kč | ||
| 10 + | 13 766,230000 Kč | 16 657,138300 Kč | ||
| 25 + | 13 140,490000 Kč | 15 899,992900 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120AM08CT3AG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP3F |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 125 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 337 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 337 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 268 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 800 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1409 [W] |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.8 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 928 [nC] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.106 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.252 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| L - Délka | 73.4 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,35 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.3 [mm] |