Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM08CT3AG

Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1200V / 337A

ks
ID Code:188006
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 16 773,746 Kč
Cena bez DPH : 13 862,600 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM08CT3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 13 862,600 Kč16 773,746 Kč
5 + 13 284,980 Kč16 074,826 Kč
10 + 12 707,380 Kč15 375,930 Kč
25 + 12 129,770 Kč14 677,022 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM08CT3AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP3F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)337 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)337 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)268 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)800 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1409 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)7.8 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)928 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.106 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.252 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM08CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace