Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM11CT3AG

Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F

ks
ID Code:188008
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 14 055,4810 Kč
Cena bez DPH : 11 616,1000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM11CT3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 11 616,1000 Kč14 055,4810 Kč
5 + 11 132,0700 Kč13 469,8047 Kč
10 + 10 648,0700 Kč12 884,1647 Kč
25 + 10 164,0600 Kč12 298,5126 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM11CT3AG 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP3F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)254 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)254 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)202 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)600 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1067 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.4 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin (Input Capacitance)9060 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.141 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.333 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Související zboží - MSCSM120AM11CT3AG

2ASC-12A1HP SiC Core 2ASC-12A1HP SiC Core   Jádro ovladače SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem
ID: 182593   Zn.výrobce: 2ASC-12A1HP  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks5 121,50004 908,08004 694,69003 734,3700
Celkem skladem: 3
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP 62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP   Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-12A1HP pro SiC moduly 62mm
ID: 183674   Zn.výrobce: 62CA1  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks3 204,60003 071,03002 937,51002 803,9800
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
62EM1-00001 62EM1-00001   Budič SiC modulů s výchozím nastavením
ID: 185154   Zn.výrobce: 62EM1-00001  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks8 673,60008 312,20007 950,80006 324,5900
na dotaz
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Zn.výrobce: ASBK-014  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks6 393,80006 127,41005 861,00005 594,5900
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM11CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace