Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM11CT3AG

Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F

ks
ID Code:188008
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 12 974,225 Kč
Cena bez DPH : 10 722,500 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM11CT3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 10 722,500 Kč12 974,225 Kč
5 + 10 275,760 Kč12 433,670 Kč
10 + 9 828,980 Kč11 893,066 Kč
25 + 9 382,210 Kč11 352,474 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM11CT3AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP3F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)254 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)254 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)202 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)600 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1067 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.4 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin (Input Capacitance)9060 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.141 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.333 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Související zboží - MSCSM120AM11CT3AG

2ASC-12A1HP SiC Core 2ASC-12A1HP SiC Core   Jádro ovladače SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem
ID: 182593   Zn.výrobce: 2ASC-12A1HP  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks4 727,5004 530,5404 333,5603 447,110
Celkem skladem: 3
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP 62CA1-Adapter Board 2ASC-12A1HP   Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-12A1HP pro SiC moduly 62mm
ID: 183674   Zn.výrobce: 62CA1  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks2 958,0002 834,8002 711,5402 588,290
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
62EM1-00001 62EM1-00001   Budič SiC modulů s výchozím nastavením
ID: 185154   Zn.výrobce: 62EM1-00001  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks8 006,4007 672,8007 339,2005 838,080
Objednáno
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Zn.výrobce: ASBK-014  
Množství [ks]1+5+10+25+
CZK/ks5 902,0005 656,0705 410,1505 164,240
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM11CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace