MSCSM120AM13CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

MSCSM120AM13CD3AG_MCH.pdf

SiC_Brochure_Ms.pdf

Power Management_MCH.pdf

Zboží již není skladem

ID Code:	188261
Výrobce:	Microchip Technology
Cena:	na dotaz
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz
Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	MSCSM120AM13CD3AG
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Jednotka::	ks

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH		Cena s DPH

Základní informace:

Značení výrobce	MSCSM120AM13CD3AG
Typ součástky:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD+D)
Konfigurace:	Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Specifikace:	SiC N-Channel MOSFET
Konstrukce:	2FET-BD+2D
Typ materiálu:	SiC Full
RoHS	Ano
REACH	Ne
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	D3
NOVINKA	N
RoHS1	Ano
UL94	V-0

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	420 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	6

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	171 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	171 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	136 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	20 [µA]
P_max s chladičem (T_C=25°C)	728 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	15.5 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	90 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	50 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	30 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	464 [nC]
C_in (Input Capacitance)	6040 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.075 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
Rthjc1 IGBT	0.206 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.49 [°C/W]
W - Šířka	62 [mm]
L - Délka	108 [mm]
H - Výška	31 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	108x62x31 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:	176372 - CAS300M12BM2 (WOL)
Alternativa 2:	174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK)
Podobné výrobky 1:	MD400HFR120C2S
Podobné výrobky 2:	FF3MR12KM1

Související zboží - MSCSM120AM13CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm