Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM16CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 138A

ks
ID Code:186151
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 8 075,1770 Kč
Cena bez DPH : 6 673,7000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:4 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM16CT1AG
Centrální sklad Zdice: 4 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 6 673,7000 Kč8 075,1770 Kč
5 + 6 395,6100 Kč7 738,6881 Kč
10 + 6 117,5400 Kč7 402,2234 Kč
25 + 5 839,4700 Kč7 065,7587 Kč
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM16CT1AG 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP1F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:96 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)173 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)173 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)138 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)745 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)16 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin (Input Capacitance)6040 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.477 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.8 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 51.6 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů5.8 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CAB011M12FM3 

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM16CT1AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace