Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM31CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 71A

ks
ID Code:186150
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 4 422,7920 Kč
Cena bez DPH : 3 655,2000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM31CT1AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 655,2000 Kč4 422,7920 Kč
5 + 3 502,9000 Kč4 238,5090 Kč
10 + 3 350,6000 Kč4 054,2260 Kč
25 + 3 198,3000 Kč3 869,9430 Kč
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM31CT1AG 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP1F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:96 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)31 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.8 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 51.6 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů5.8 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:CAB011M12FM3 
Podobné výrobky 2:CAB016M12FM3 

Potřebujete poradit ? MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace