Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120AM50CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 44A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM120AM50CT1AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM50CT1AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM50CT1AG Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:186149
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 3 008,060 Kč
Cena bez DPH : 2 486,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120AM50CT1AG
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 486,000 Kč3 008,060 Kč
5 + 2 383,000 Kč2 883,430 Kč
10 + 2 279,000 Kč2 757,590 Kč
25 + 2 176,000 Kč2 632,960 Kč
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120AM50CT1AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-SP1F 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:80 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)55 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)55 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)44 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)245 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)50 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.05 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin (Input Capacitance)1990 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.61 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz MSCSM120AM50CT1AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace