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MSCSM120HM083CAG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1200V, 251A, Module-SP6C

pcs
ID Code:189179
Fabricant:Microchip Technology
Prix avec TVA : 1 166,515550 €
Prix hors TVA : 964,062438 €
VAT:21 %
Disponibilité:sur demande
Stock total:0 pcs
Marquage fabricant: MSCSM120HM083CAG
Délai de livraison en usine: 42wk-49wk
Unité:: pcs
Aperçu des remises sur volume
Quantité (pcs)Prix hors TVAPrix avec TVA
1 + 964,062438 €1 166,515550 €
5 + 923,893697 €1 117,911373 €
10 + 883,724560 €1 069,306718 €
25 + 843,555029 €1 020,701585 €


Informations de base :

Marquage fabricantMSCSM120HM083CAG 
Délai de livraison en usine42wk-49wk [wk]
Type de composant:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configuration:Bridge 1f 
Spécifications:SiC N-Channel MOSFET 
Construction:4*FET-BD+4*D 
Type de cas:Modul 
Cas [inch] :SP6-41 
Type de matériel:SiC Full 
RoHSOui 
REACHNon 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Emballage et poids :

Unité:pcs 
Poids:330 [g]
Type d’emballage:TUBE 
Petit paquet (nombre d'unités):

Paramètres électro-physiques:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)600 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1042  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9000 pF

Paramètres thermiques et mécaniques:

Dimensions (L*W*H) [mm]:108x62x17 
Tmin (température minimale de travail)-40 [°C]
Tmax (température maximale de service)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.144 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.34 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
Number of Pins 12 
L - Longueur 108 [mm]
W - Largeur 62 [mm]
H - Hauteur 17 [mm]
PIN dimensions2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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