- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120HM31CTBL2NG
MSCSM120HM31CTBL2NG
SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL2
| ID Code: | 189855 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 10 756,4160 Kč |
| Cena bez DPH : | 8 889,6000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120HM31CTBL2NG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 8 889,6000 Kč | 10 756,4160 Kč | ||
| 5 + | 8 519,2000 Kč | 10 308,2320 Kč | ||
| 10 + | 8 148,8000 Kč | 9 860,0480 Kč | ||
| 25 + | 7 778,4000 Kč | 9 411,8640 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120HM31CTBL2NG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Bridge 1f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 4*FET-BD+4*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | BL2 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 25.8 [g] |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 79 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 79 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 63 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 10 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 310 [W] |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 31 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3020 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.483 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.854 [°C/W] |
| W - Šířka | 35.7 [mm] |
| L - Délka | 43.6 [mm] |
| H - Výška | 9.3 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 44x36x9 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.8 [mm] |