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MSCSM120SKM31CTBL1NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL1

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MSCSM120SKM31CTBL1NG Microchip Technology
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Stück
ID Code:189851
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 163,781545 €
Preis ohne MwSt. : 135,356649 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120SKM31CTBL1NG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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1 + 135,356649 €163,781545 €
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10 + 124,076270 €150,132287 €
25 + 118,436673 €143,308374 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120SKM31CTBL1NG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:High side 1*(Buck Chopper) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:1*FET-BD+1*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :BL1 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:16.2 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)10 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)310 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:40x26x9 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.483 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.635 [°C/W]
L - Länge 40.3 [mm]
W - Breite 25.6 [mm]
H - Höhe 9.3 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.8 [mm]

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