Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk: jazyk_cz   Kč:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120TAM11CTPAG

Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module

ks
ID Code:187807
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 39 085,0570 Kč
Cena bez DPH : 32 301,7000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120TAM11CTPAG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 32 301,7000 Kč39 085,0570 Kč
5 + 30 955,7700 Kč37 456,4817 Kč
10 + 29 609,8700 Kč35 827,9427 Kč
25 + 28 263,9600 Kč34 199,3916 Kč
SP6-P package
• Replaces up to six SOT-227 parts
• Height compatible with SOT-227
• Low-inductance solder pins
• High current capability

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120TAM11CTPAG 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Half Bridge 3*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:6*FET-BD+6*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-P 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:275 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)251 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)1042 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.4 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin (Input Capacitance)9060 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.144 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.573 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů2.54 [mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 11.5 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x11 [mm]
Rozměry vývodů0.8 [mm]
Lv - Délka vývodů5.6 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM120TAM11CTPAG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace