- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120TAM31CT3AG
MSCSM120TAM31CT3AG
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
| ID Code: | 186279 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 13 924,4380 Kč |
| Cena bez DPH : | 11 507,8000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 11 507,8000 Kč | 13 924,4380 Kč | ||
| 5 + | 11 028,3200 Kč | 13 344,2672 Kč | ||
| 10 + | 10 548,8200 Kč | 12 764,0722 Kč | ||
| 25 + | 10 069,3300 Kč | 12 183,8893 Kč |
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Bridge 3f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 6*FET-BD+6*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP3F |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 125 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 3 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 89 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 71 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 395 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 31 [mΩ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3020 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.38 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.9 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| L - Délka | 73.4 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,35 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.3 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Alternativa 1: | 183781 - CCS050M12CM2 (CRE) |
| Podobné výrobky 1: | CCB032M12FM3 |