Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM120TAM31CT3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120TAM31CT3AG Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:186279
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 12 050,390 Kč
Cena bez DPH : 9 959,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM120TAM31CT3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 9 959,000 Kč12 050,390 Kč
5 + 9 544,000 Kč11 548,240 Kč
10 + 9 129,000 Kč11 046,090 Kč
25 + 8 714,000 Kč10 543,940 Kč
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM120TAM31CT3AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-SP3F 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Sixpack  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu+AlN 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:110 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.08 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Podobné výrobky 1:CCB032M12FM3 

Váš dotaz MSCSM120TAM31CT3AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace