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MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

Stück
ID Code:186279
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 530,450556 €
Preis ohne MwSt. : 438,388889 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120TAM31CT3AG
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Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120TAM31CT3AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Bridge 3f 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:6*FET-BD+6*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP3F 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:125 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
RM - Anschlussraster3.81 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
L - Länge 73.4 [mm]
W - Breite 42.5 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,35 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.3 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Alternative Produkte 1:CCB032M12FM3 

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