Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170AM029CT6LIAG

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

ks
ID Code:186731
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 66 245,6850 Kč
Cena bez DPH : 54 748,5000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM170AM029CT6LIAG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 54 748,5000 Kč66 245,6850 Kč
5 + 52 467,3100 Kč63 485,4451 Kč
10 + 50 186,1300 Kč60 725,2173 Kč
25 + 47 904,9400 Kč57 964,9774 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170AM029CT6LIAG 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6LI 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:350 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)676 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)676 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)538 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)3000 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.7 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)63 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)48 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2136 [nC]
Cin (Input Capacitance)39600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.05 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.062 [°C/W]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 22 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x22 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MCH) 

Související zboží - MSCSM170AM029CT6LIAG

I+case 62x106_F05-AL2 I+case 62x106_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Objednáno
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
2ASC-17A1HP SiC Core 2ASC-17A1HP SiC Core   Jádro ovladače SiC modulů 1700V 2 x 5W / 2 x 20A, 150kHz, plně programovatelné softwarem
ID: 183850   Zn.výrobce: 2ASC-17A1HP  
Celkem skladem: 3
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Zn.výrobce: ASBK-014  
Celkem skladem: 1
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-015 ASBK-015   Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče
ID: 185841   Zn.výrobce: ASBK-015  
na dotaz
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
SP6CA3-Adapter Board 2ASC-17A1HP SP6CA3-Adapter Board 2ASC-17A1HP   Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-17A1HP pro SiC SP6LI Microsemi moduly
ID: 186260   Zn.výrobce: SP6CA3  
na dotaz
Výrobce: Microchip Technology  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? MSCSM170AM029CT6LIAG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace