Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170AM029CT6LIAG

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM170AM029CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM170AM029CT6LIAG Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:186731
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 57 328,590 Kč
Cena bez DPH : 47 379,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM170AM029CT6LIAG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 47 379,000 Kč57 328,590 Kč
5 + 45 405,000 Kč54 940,050 Kč
10 + 43 431,000 Kč52 551,510 Kč
25 + 41 457,000 Kč50 162,970 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170AM029CT6LIAG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-T6LI 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:320 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)538 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)538 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)3000 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.7 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)63 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)48 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2136 [nC]
Cin (Input Capacitance)39600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.05 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.062 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MIS) 

Související zboží - MSCSM170AM029CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks45,00043,00042,00037,000
Celkem skladem: 534
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MSCSM170AM029CT6LIAG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace