- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM170AM039CD3AG
MSCSM170AM039CD3AG
MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 186730 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 51 848,742000 Kč |
| Cena bez DPH : | 42 850,200000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | Objednáno |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM170AM039CD3AG |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 42 850,200000 Kč | 51 848,742000 Kč | ||
| 5 + | 41 064,770000 Kč | 49 688,371700 Kč | ||
| 10 + | 39 279,350000 Kč | 47 528,013500 Kč | ||
| 25 + | 37 493,930000 Kč | 45 367,655300 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM170AM039CD3AG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | D3 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 420 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 12 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 523 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 523 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 416 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 1200 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 2400 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 5 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 75 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 56 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1602 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 29700 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.063 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.09 [°C/W] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| H - Výška | 31 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x31 [mm] |
Související zboží - MSCSM170AM039CD3AG
 |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3 | Objednáno Výrobce: SEMIC EU |
||
 |
ASDAK-2ASC-17A1HP-62 Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1700V 2 x 5W, plně programovatelné softwarem ID: 183848 Zn.výrobce: ASDAK-2ASC-17A1HP-62 | Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||
 |
2ASC-17A1HP SiC Core Jádro ovladače SiC modulů 1700V 2 x 5W / 2 x 20A, 150kHz, plně programovatelné softwarem ID: 183850 Zn.výrobce: 2ASC-17A1HP | Celkem skladem: 3 Výrobce: Microchip Technology |
||
 |
62EM1-00001 Budič SiC modulů s výchozím nastavením ID: 185154 Zn.výrobce: 62EM1-00001 | na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||
 |
62CA4-Adapter Board 2ASC-17A1HP Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-17A1HP pro SiC moduly 62mm ID: 185298 Zn.výrobce: 62CA4 | na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||
 |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Zn.výrobce: ASBK-014 | Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.