Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170AM058CD3AG

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MSCSM170AM058CD3AG TOR 1
MSCSM170AM058CD3AG TOR 1
ks
ID Code:186278
Výrobce:TOR 1
Cena s DPH : 29 179,150 Kč
Cena bez DPH : 24 115,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM170AM058CD3AG
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 24 115,000 Kč29 179,150 Kč
3 + 22 130,000 Kč26 777,300 Kč
5 + 21 056,000 Kč25 477,760 Kč
10 + 19 367,000 Kč23 434,070 Kč
MOSFET 1700V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CD3AG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170AM058CD3AG 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseCu 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:350 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)277 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)277 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)1200 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1641 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)7.5 [mΩ]
tf/tq (Turn-off / fall time)30 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1068 [nC]
Cin (Input Capacitance)19800 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.091 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.101 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:177329 - CAS300M17BM2 (WO) 
Alternativa 2:186080 - SKM260MB170SCH17 (SMK) 

Související zboží - MSCSM170AM058CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks45,00043,00042,00037,000
Celkem skladem: 761
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz MSCSM170AM058CD3AG

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace