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MSCSM170AM058CT6AG

Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1700V, 353A, Module-SP6C

Stück
ID Code:189229
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 377,921111 €
Preis ohne MwSt. : 1 138,777778 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM170AM058CT6AG
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM170AM058CT6AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP6-3 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:330 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)281 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)1200 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1642 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)75 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)56 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1068 [nC]
Cin (Input Capacitance)19800 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x17 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.09 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.1 [°C/W]
RM - Anschlussraster[mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 108 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 17 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse2,8 [mm]
Lv - Anschlusslänge[mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:177329 - CAS300M17BM2 (WOL) 
Alternative Produkte 1:CAS300M17BM 

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