MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode
ID Code: | 186277 |
Výrobce: | Microsemi / Microchip Technology |
Cena s DPH : | 34 269,620 Kč |
Cena bez DPH : | 28 322,000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | MSCSM170AM058CT6LIAG |
Jednotka:: | ks |
množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
1 + | 28 322,000 Kč | 34 269,620 Kč |
3 + | 25 867,000 Kč | 31 299,070 Kč |
5 + | 24 756,000 Kč | 29 954,760 Kč |
10 + | 22 621,000 Kč | 27 371,410 Kč |
Značení výrobce | MSCSM170AM058CT6LIAG |
Typ pouzdra: | MODUL |
Pouzdro: | MODUL-T6LI |
Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
Typ součástky: | N-MOSFET |
Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Typ materiálu: | SiC Full |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 320 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 281 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 281 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
IR (zpětný proud) | 3000 [µA] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1642 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.5 [mΩ] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 30 [ns] |
fmax max.frequency (max./typ.) | 0.08 [MHz] ? fmax - definice pro součástky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
Qg (Total Gate Charge) | 1068 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 19800 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
Rthjc1 IGBT | 0.09 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.1 [°C/W] |
Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |
Alternativa 1: | 186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MIS) |
![]() |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm
| Celkem skladem: 761 Výrobce: - |