- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM170AM058CT6LIAG
MSCSM170AM058CT6LIAG
MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 186277 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 39 136,482000 Kč |
| Cena bez DPH : | 32 344,200000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 32 344,200000 Kč | 39 136,482000 Kč | ||
| 5 + | 30 996,530000 Kč | 37 505,801300 Kč | ||
| 10 + | 29 648,850000 Kč | 35 875,108500 Kč | ||
| 25 + | 28 301,180000 Kč | 34 244,427800 Kč |
MOSFET 1700V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP6LI |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 350 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 353 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 353 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 281 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 3000 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1642 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.5 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 30 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1068 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 19800 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.09 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.1 [°C/W] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| H - Výška | 22 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x22 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Alternativa 1: | 186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MCH) |
Související zboží - MSCSM170AM058CT6LIAG
 |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Objednáno Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
 |
2ASC-17A1HP SiC Core Jádro ovladače SiC modulů 1700V 2 x 5W / 2 x 20A, 150kHz, plně programovatelné softwarem ID: 183850 Zn.výrobce: 2ASC-17A1HP
| Celkem skladem: 3 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Zn.výrobce: ASBK-014
| Celkem skladem: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-015 Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče ID: 185841 Zn.výrobce: ASBK-015
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
SP6CA3-Adapter Board 2ASC-17A1HP Deska adaptéru jádra budiče 2ASC-17A1HP pro SiC SP6LI Microsemi moduly ID: 186260 Zn.výrobce: SP6CA3
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.