MSCSM170AM058CT6LIAG
MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 186277 |
| Výrobce: | Microsemi / Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 34 269,620 Kč |
| Cena bez DPH : | 28 322,000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 28 322,000 Kč | 34 269,620 Kč |
| 3 + | 25 867,000 Kč | 31 299,070 Kč |
| 5 + | 24 756,000 Kč | 29 954,760 Kč |
| 10 + | 22 621,000 Kč | 27 371,410 Kč |
MOSFET 1700V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL-T6LI |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Typ součástky: | N-MOSFET |
| Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Typ materiálu: | SiC Full |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 320 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 281 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 281 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 3000 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1642 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.5 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 30 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.08 [MHz] ? fmax - definice pro součástky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 1068 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 19800 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.09 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.1 [°C/W] |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Alternativa 1: | 186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MIS) |
Související zboží - MSCSM170AM058CT6LIAG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm
| Celkem skladem: 761 Výrobce: - |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.