Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170AM23CT1AG

Full SiC MOSFET 1700V / 98A - půl můstek + SiC Diody

ks
ID Code:186224
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 8 776,130 Kč
Cena bez DPH : 7 253,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:4 ks
Značení výrobce: MSCSM170AM23CT1AG
Centrální sklad Zdice: 4 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 7 253,000 Kč8 776,130 Kč
5 + 6 950,780 Kč8 410,444 Kč
10 + 6 648,580 Kč8 044,782 Kč
25 + 6 346,370 Kč7 679,108 Kč
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• FWD - Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Kelvinův zdroj pro snadné řízení
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170AM23CT1AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP1F 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:90 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)124 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)602 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)22.5 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)356 [nC]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.25 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.276 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.8 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 51.6 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů5.8 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:180130 - FF11MR12W1M1_B11 (INF) 
Podobné výrobky 1:FF11MR12W1M1_B11 

Potřebujete poradit ? MSCSM170AM23CT1AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace