- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM170AM23CT1AG
MSCSM170AM23CT1AG
Full SiC MOSFET 1700V / 98A - půl můstek + SiC Diody
| ID Code: | 186224 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 8 776,130 Kč |
| Cena bez DPH : | 7 253,000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | Skladem |
| Celkem skladem: | 4 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM170AM23CT1AG |
| Centrální sklad Zdice: | 4 ks |
| Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 7 253,000 Kč | 8 776,130 Kč | ||
| 5 + | 6 950,780 Kč | 8 410,444 Kč | ||
| 10 + | 6 648,580 Kč | 8 044,782 Kč | ||
| 25 + | 6 346,370 Kč | 7 679,108 Kč |
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• FWD - Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Kelvinův zdroj pro snadné řízení
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
• FWD - Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Kelvinův zdroj pro snadné řízení
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM170AM23CT1AG |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Typ součástky: | SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP1F |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 90 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 124 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 124 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 602 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 22.5 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 19 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 356 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 6600 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.25 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.276 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.8 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| L - Délka | 51.6 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 52x43x12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,4 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.8 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Alternativa 1: | 180130 - FF11MR12W1M1_B11 (INF) |
| Podobné výrobky 1: | FF11MR12W1M1_B11 |