Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170DSKM23CT3AG

Full SiC MOSFET 1700V / 98A - 2x horní spínač

ks
ID Code:186232
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 8 094,900000 Kč
Cena bez DPH : 6 690,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM170DSKM23CT3AG
Dodací lhůta výrobce: 42wk-49wk ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 6 690,000000 Kč8 094,900000 Kč
3 + 6 598,000000 Kč7 983,580000 Kč
5 + 6 551,000000 Kč7 926,710000 Kč
10 + 6 505,000000 Kč7 871,050000 Kč
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Kelvinův zdroj pro snadné řízení
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170DSKM23CT3AG 
Dodací lhůta výrobce42wk-49wk [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ součástky:SiC MOSFET+SiC Schottky Diode 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:2*Buck Chopper  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+2*D 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SP3F 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):1000 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)602 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)22.5 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)356 [nC]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.25 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.276 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
W - Šířka 42.5 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM170DSKM23CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace