Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM170HM45CT3AG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1700V, 64A, Module-SP3F

ks
ID Code:189236
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 10 742,259 Kč
Cena bez DPH : 8 877,900 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM170HM45CT3AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 8 877,900 Kč10 742,259 Kč
5 + 8 507,980 Kč10 294,656 Kč
10 + 8 138,060 Kč9 847,053 Kč
25 + 7 768,150 Kč9 399,462 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM170HM45CT3AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:4*FET-BD+4*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP3F 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:125 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)64 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)64 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)51 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)200 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)319 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)45 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)178 [nC]
Cin (Input Capacitance)3300 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.47 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.52 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 38 [mm]
Počet PIN (vývodů) 32 
W - Šířka 42.5 [mm]
L - Délka 73.4 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Rozměry vývodů1,35 [mm]
Lv - Délka vývodů5.3 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM170HM45CT3AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace