• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Kelvin source for easy drive
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | MSCSM170SKM23CT1AG |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Typ składnika: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguracja: | High side 1*(Buck Chopper) |
Specyfikacja: | SiC N-Channel MOSFET |
Budowa: | 1*FET-BD+1*D |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | SP1F |
Rodzaj materiału: | SiC Full |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 96 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 7 |
Parametry elektrofizyczne:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 602 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 19 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 356 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6600 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -40 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.25 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.276 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 3.8 [mm] |
RM1 - Rozstaw rzędów | 38 [mm] |
Number of Pins | 12 |
L - Długość | 51.6 [mm] |
W - Szerokość | 42.5 [mm] |
H - Wysokość | 12 [mm] |
PIN wymiary | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |