Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM70TAM10CTPAG

Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module, 700V, 238A, SP6-P, 674W

ks
ID Code:188004
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 26 553,813 Kč
Cena bez DPH : 21 945,300 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM70TAM10CTPAG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 21 945,300 Kč26 553,813 Kč
5 + 21 030,920 Kč25 447,413 Kč
10 + 20 116,540 Kč24 341,013 Kč
25 + 19 202,150 Kč23 234,602 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM70TAM10CTPAG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Half Bridge 3*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:6*FET-BD+6*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-P 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:275 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)238 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)238 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)189 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)400 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)674 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)9.5 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)38 [ns]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)430 [nC]
Cin (Input Capacitance)9000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.222 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.466 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů2.54 [mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 11.5 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x11 [mm]
Rozměry vývodů0.8 [mm]
Lv - Délka vývodů5.6 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace