- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM70TAM19CT3AG
MSCSM70TAM19CT3AG
Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module, 700V, 124A, SP3F, 365W
| ID Code: | 188003 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 12 505,9550 Kč |
| Cena bez DPH : | 10 335,5000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | MSCSM70TAM19CT3AG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 10 335,5000 Kč | 12 505,9550 Kč | ||
| 5 + | 9 904,8100 Kč | 11 984,8201 Kč | ||
| 10 + | 9 474,1700 Kč | 11 463,7457 Kč | ||
| 25 + | 9 043,5200 Kč | 10 942,6592 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | MSCSM70TAM19CT3AG |
| Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurace: | Half Bridge 3*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstrukce: | 6*FET-BD+6*D |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | SP3F |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 125 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| UDS | 700 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| IR (zpětný proud) | 200 [µA] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 365 [W] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 20 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 215 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 4500 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.86 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| L - Délka | 73.4 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,35 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.3 [mm] |