Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MSCSM70VM10C4AG

Vienna Rectifier phase leg Sic Mosfet Power Module 700V / 238A SP4

ks
ID Code:188047
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 10 435,282 Kč
Cena bez DPH : 8 624,200 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MSCSM70VM10C4AG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 8 624,200 Kč10 435,282 Kč
5 + 8 264,820 Kč10 000,432 Kč
10 + 7 905,480 Kč9 565,631 Kč
25 + 7 546,140 Kč9 130,829 Kč


Základní informace:

Značení výrobceMSCSM70VM10C4AG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfigurace:Vienna Rectifier Phase Leg  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD+4*D 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP4 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:180 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)238 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)238 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)189 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)400 [µA]
Pmax s chladičem (TC=25°C)674 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)9.5 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)38 [ns]
tr (Turn-on / rise time)35 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)430 [nC]
Cin (Input Capacitance)9000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.222 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.466 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů3.81 [mm]
W - Šířka 40.4 [mm]
L - Délka 93 [mm]
H - Výška 17.2 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)93x40x17 [mm]
Rozměry vývodů1,25 [mm]
Lv - Délka vývodů2.9 [mm]

Potřebujete poradit ? MSCSM70VM10C4AG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace