SDKS2X200-200B1

Schottky Barrier Rectifier Diode Modules 200V

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

SDKS2X200_SRF.pdf

ID Code:	186590
Výrobce:	Sirectifier
Cena s DPH :	1 156,7600 Kč
Cena bez DPH :	956,0000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz

Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	SDKS2X200-200B1
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Jednotka::	ks

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		956,0000 Kč		1 156,7600 Kč
3 +		888,0000 Kč		1 074,4800 Kč
5 +		820,0000 Kč		992,2000 Kč
10 +		717,0000 Kč		867,5700 Kč

Schottky Barrier Rectifier Diode Modules 200V

Základní informace:

Značení výrobce	SDKS2X200-200B1
Typ součástky:	Diode Schottky Silicon
Kategorie	Diode Schottky Modul
Konfigurace:	com.cathode 2D ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Počet obvodů (v pouzdře)	2 ks
Typ pouzdra:	Modul
Pouzdro [inch] :	TO-240AA
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	132 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	10

Elektro-fyzikální parametry:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	200 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)	200 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	0.95 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max

Teplotní a mechanické parametry:

*Rozměry (LWH)* [mm]:	93x21x30
T_min (minimální pracovní teplota)	-55 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.31 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
L - Délka	92 [mm]
W - Šířka	20.8 [mm]
H - Výška	30 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:	144741 - VSKCS403/100P (VIS)
Alternativa 2:	179205 - MBRTT400100A (DAC)
Alternativa 3:	182696 - MBRTT600100A (DAC)

Související zboží - SDKS2X200-200B1

I+case 20,3x 92,5_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra TO-244AA, SEMIPACK-1 a v rozměru 20,3x 92,5 mm
ID: 176032 Zn.výrobce: F05-AL2_20,3x92,5mm SEMIPACK1