Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SEMiX101GD12Vs

350

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SEMiX101GD12Vs Semikron
SEMiX101GD12Vs Semikron
ks
ID Code:171387
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 4 444,330 Kč
Cena bez DPH : 3 673,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SEMiX101GD12Vs
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 673,000 Kč4 444,330 Kč
2 + 3 489,000 Kč4 221,690 Kč
4 + 2 525,000 Kč3 055,250 Kč
48 + 2 296,000 Kč2 778,160 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSEMiX101GD12Vs 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-13 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Sixpack  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:350 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)159 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)159 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)121 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.75 [V]
tr (Turn-on / rise time)46 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)68 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1100 [nC]
Cin (Input Capacitance)6000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Související zboží - SEMiX101GD12Vs

I+SEMiX13-63,5x126=005W-AL I+SEMiX13-63,5x126=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra, SEMiX-13/ 3s, Econopack 3 v rozměru 63,5x126 mm
ID: 176036   Zn.výrobce: F05-AL2-63,5x126mm  
na dotaz
Výrobce: -  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz SEMiX101GD12Vs

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace