Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SEMiX223GB12Vs

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SEMiX223GB12Vs Semikron
SEMiX223GB12Vs Semikron
ks
ID Code:166347
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 3 911,9300 Kč
Cena bez DPH : 3 233,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SEMiX223GB12Vs
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 233,0000 Kč3 911,9300 Kč
3 + 3 071,0000 Kč3 715,9100 Kč
6 + 2 425,0000 Kč2 934,2500 Kč
42 + 2 021,0000 Kč2 445,4100 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSEMiX223GB12Vs 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3s 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:380 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)323 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)323 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)246 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
tr (Turn-on / rise time)72 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)109 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2460 [nC]
Cin (Input Capacitance)13500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 64 [mm]
L - Délka 150 [mm]
H - Výška 23 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)150x64x23 [mm]

Související zboží - SEMiX223GB12Vs

I+SEMiX13-63,5x126=005W-AL I+SEMiX13-63,5x126=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra, SEMiX-13/ 3s, Econopack 3 v rozměru 63,5x126 mm
ID: 176036   Zn.výrobce: F05-AL2-63,5x126mm  
na dotaz
Výrobce: -  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? SEMiX223GB12Vs Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace