- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- SEMiX353GB126HDs
SEMiX353GB126HDs
Trench IGBT Modules 1200V
| ID Code: | 172159 |
| Výrobce: | Semikron |
| Cena s DPH : | 4 059,5500 Kč |
| Cena bez DPH : | 3 355,0000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | Skladem |
| Celkem skladem: | 27 ks |
| Značení výrobce: | SEMiX353GB126HDs |
| Centrální sklad Zdice: | 27 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 3 355,0000 Kč | 4 059,5500 Kč | ||
| 3 + | 3 187,0000 Kč | 3 856,2700 Kč | ||
| 6 + | 2 516,0000 Kč | 3 044,3600 Kč | ||
| 42 + | 2 097,0000 Kč | 2 537,3700 Kč |
Trench IGBT Modules 1200V
Typical Applications
• Měniče střídavého proudu
• UPS
• Elektronické svařování
Typical Applications
• Měniče střídavého proudu
• UPS
• Elektronické svařování
Základní informace:
| Značení výrobce | SEMiX353GB126HDs |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SEMIX-3s |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 380 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 6 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 364 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 364 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 256 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.6 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
| Input Logic Level (UGS level) | 15V |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 120 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1800 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 16000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| W - Šířka | 64 [mm] |
| L - Délka | 150 [mm] |
| H - Výška | 23 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 150x64x23 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Podobné výrobky 1: | FF225R12ME4 |