Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SEMiX353GB126HDs

Trench IGBT Modules 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SEMiX353GB126HDs Semikron
SEMiX353GB126HDs Semikron
ks
ID Code:172159
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 4 059,5500 Kč
Cena bez DPH : 3 355,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:27 ks
Značení výrobce: SEMiX353GB126HDs
Centrální sklad Zdice: 27 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 3 355,0000 Kč4 059,5500 Kč
3 + 3 187,0000 Kč3 856,2700 Kč
6 + 2 516,0000 Kč3 044,3600 Kč
42 + 2 097,0000 Kč2 537,3700 Kč
Trench IGBT Modules 1200V
Typical Applications
• Měniče střídavého proudu
• UPS
• Elektronické svařování

Základní informace:

Značení výrobceSEMiX353GB126HDs 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3s 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:380 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)364 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)364 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)256 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.6 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)120 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1800 [nC]
Cin (Input Capacitance)16000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.1 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 64 [mm]
L - Délka 150 [mm]
H - Výška 23 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)150x64x23 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:FF225R12ME4 

Potřebujete poradit ? SEMiX353GB126HDs Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace