Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SEMiX603GB12E4lp

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SEMiX603GB12E4lp Semikron
SEMiX603GB12E4lp Semikron
ks
ID Code:171882
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 16 078,4800 Kč
Cena bez DPH : 13 288,0000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SEMiX603GB12E4Ip
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 13 288,0000 Kč16 078,4800 Kč
6 + 5 398,0000 Kč6 531,5800 Kč
24 + 4 153,0000 Kč5 025,1300 Kč
96 + 3 862,0000 Kč4 673,0200 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSEMiX603GB12E4Ip 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3p 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:450 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1100 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)853 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.08 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)85 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)145 [ns]
Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)37500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 150 [mm]
H - Výška 21 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)150x62x21 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:FF600R12ME4_B11 

Související zboží - SEMiX603GB12E4lp

I+SEMiX3p-62x122=005W-AL I+SEMiX3p-62x122=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra SEMiX-3p, Econopack 3 a v rozměru 62x122mm
ID: 176038   Zn.výrobce: F05-AL2-62x122mm  
Množství [ks]1+10+20+50+
CZK/ks69,000065,000059,000055,0000
Celkem skladem: 1899
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? SEMiX603GB12E4lp Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace