- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- SEMiX603GB12E4p
SEMiX603GB12E4p
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA
| ID Code: | 171772 |
| Výrobce: | Semikron |
| Cena s DPH : | 16 456,0000 Kč |
| Cena bez DPH : | 13 600,0000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | SEMiX603GB12E4p |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 13 600,0000 Kč | 16 456,0000 Kč | ||
| 6 + | 5 525,0000 Kč | 6 685,2500 Kč | ||
| 24 + | 4 250,0000 Kč | 5 142,5000 Kč | ||
| 96 + | 3 953,0000 Kč | 4 783,1300 Kč |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA
Základní informace:
| Značení výrobce | SEMiX603GB12E4p |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SEMIX-3p |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 450 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 6 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1100 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 1100 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 853 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.08 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
| tr (Turn-on / rise time) | 85 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 145 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 3450 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 37500 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| L - Délka | 150 [mm] |
| H - Výška | 21 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 150x62x21 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Podobné výrobky 1: | FF600R12ME4 |
Související zboží - SEMiX603GB12E4p
 |
I+SEMiX3p-62x122=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra SEMiX-3p, Econopack 3 a v rozměru 62x122mm ID: 176038 Zn.výrobce: F05-AL2-62x122mm
| Celkem skladem: 1739 Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
 |
SKYPER12_600A 1200V IGBT budič půlmůstků do 1200V / 15A ,Press-fit pouzdra IGBT<600A ID: 183758 Zn.výrobce: SKYPER12press-fit600A/1200V
| na dotaz Výrobce: Semikron |
||||||||||||
 |
SKYPER12_C600A 1200V IGBT budič půlmůstků do 1200V / 15A ,Press-fit pouzdra IGBT<600A ID: 183760 Zn.výrobce: SKYPER12press-fitC600A/1,2
| na dotaz Výrobce: Semikron |
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.