- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- SK150MLI07L5TD1E2
SK150MLI07L5TD1E2
IGBT 650V - 3-Level Inverter
| ID Code: | 182156 |
| Výrobce: | Semikron |
| Cena s DPH : | 4 800,0700 Kč |
| Cena bez DPH : | 3 967,0000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | SK150MLI07L5TD1E2 |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 3 967,0000 Kč | 4 800,0700 Kč | ||
| 8 + | 3 768,0000 Kč | 4 559,2800 Kč | ||
| 15 + | 2 530,0000 Kč | 3 061,3000 Kč | ||
| 150 + | 1 977,0000 Kč | 2 392,1700 Kč |
IGBT 650V - 3-Level Inverter
Základní informace:
| Značení výrobce | SK150MLI07L5TD1E2 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | 3-level NPC Inverter ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 4*IGBT+6*D |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 4 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| Material Base | Ceramic |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SEMITOP-E2 |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 34 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 103 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 103 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 80 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.35 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.65 [V] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| Qg (Total Gate Charge) | 332 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 8600 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.7 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.83 [°C/W] |
| W - Šířka | 63 [mm] |
| L - Délka | 57 [mm] |
| H - Výška | 17 [mm] |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |