SK200MB120CR03TE2

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

SK200MB120CR03TE2_SMK.pdf

Zboží již není skladem

ID Code:	186126
Výrobce:	Semikron
Cena:	na dotaz
DPH:	21 %
Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	SK200MB120CR03TE2
Jednotka::	ks

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Základní informace:

Značení výrobce	SK200MB120CR03TE2
Typ součástky:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Konfigurace:	Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Specifikace:	SiC N-Channel MOSFET
Konstrukce:	2*FET-BD
Typ materiálu:	SiC Full
RoHS	Ano
REACH	Ne
Typ pouzdra:	MODUL
Pouzdro:	SEMITOP-E2
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	24 [g]
Malé balení (počet jednotek):	15

Elektro-fyzikální parametry:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	218 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	218 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=70÷79°C)	182 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
Input Logic Level (U_GS level)	15V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	8.6 [mΩ]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	40 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	17 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	29 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	590 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	125 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	1 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
W - Šířka	63 [mm]
L - Délka	57 [mm]
H - Výška	17 [mm]
Rozměry vývodů	0.00 [mm]