MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
ID Code: | 186126 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SK200MB120CR03TE2 |
Einheit:: | Stück |
Herstellerkennzeichnung | SK200MB120CR03TE2 |
Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstruktion: | 2*FET-BD |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-E2 |
Art des Materials: | SiC Full |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 24 [g] |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 15 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 182 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (UGS level) | 15V |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 40 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 29 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 590 [nC] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 1 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 57 [mm] |
W - Breite | 63 [mm] |
H - Höhe | 17 [mm] |