Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SK200MB120TSCE2

MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK200MB120TSCE2 Semikron
SK200MB120TSCE2 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:182130
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK200MB120TSCE2
Jednotka:: ks
MOSFET 1200V Full SiC Evaluation Sample
Konstrukce s extrémně nízkou indukčností: LCE = 6nH, Press-Fit kontakty, Robustní montáž díky integraci montážní svorky, přenos tepla a el. izolace z přímo mědí kontaktované keramiky z oxidu hliníku (DBC), 1200 V CoolSiC MOSFET
UL dle souboru č. E 63 532, Integrovaný snímač teploty NTC

Základní informace:

Značení výrobceSK200MB120TSCE2 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Typ součástky:SiC MOSFET-BD 
Konfigurace:Half Bridge (Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITOP-E2 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:35 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)164 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)164 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)137 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)7.5 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)24 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)372 [nC]
Cin (Input Capacitance)12000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.3 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 63 [mm]
L - Délka 57 [mm]
H - Výška 17 [mm]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Potřebujete poradit ? SK200MB120TSCE2 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace