- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- SK35GD12T4ETE1
SK35GD12T4ETE1
IGBT 1200V
Zboží již není skladem
| ID Code: | 182131 |
| Výrobce: | Semikron |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | SK35GD12T4ETE1 |
| Jednotka:: | ks |
IGBT 1200V
Základní informace:
| Značení výrobce | SK35GD12T4ETE1 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Bridge 3f -SE(single emiter) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 6*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 6 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SEMITOP-E1 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 24 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 43 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 43 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 35 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
| Input Logic Level (UGS level) | 15V |
| Cin (Input Capacitance) | 1950 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 1.2 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |