MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
ID Code: | 173648 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SK45MH120TSCp |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Značení výrobce | SK45MH120TSCp |
Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfigurace: | Bridge 1f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstrukce: | 4*FET-BD |
Typ materiálu: | SiC Full |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
Typ pouzdra: | MODUL |
Pouzdro: | SEMITOP-3p |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 36 [g] |
Malé balení (počet jednotek): | 15 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 40 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 33 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (UGS level) | 15V |
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 45 [mΩ] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 73 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 49 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 13 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 206 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 4310 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 1 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
W - Šířka | 31 [mm] |
L - Délka | 55 [mm] |
H - Výška | 16 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 55x31x16 [mm] |