Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK75GBB066T

IGBT 600V 77A/25°C H-bridge

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK75GBB066T Semikron
SK75GBB066T Semikron
ks
ID Code:231898
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 4 107,950000 Kč
Cena bez DPH : 3 395,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK75GBB066T
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 3 395,000000 Kč4 107,950000 Kč
10 + 1 093,000000 Kč1 322,530000 Kč
100 + 832,000000 Kč1 006,720000 Kč
300 + 768,000000 Kč929,280000 Kč
IGBT 600V 77A/25°C H-bridge

Základní informace:

Značení výrobceSK75GBB066T 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konstrukce:4*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 4 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-3 
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseCeramic 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:39 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)77 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.35 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Qg (Total Gate Charge)700 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.94 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
L - Délka 57 [mm]
W - Šířka 63 [mm]
H - Výška 17 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:SK75GARL065E 

Potřebujete poradit ? SK75GBB066T Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace