IGBT 1200V - sixpack
ID Code: | 182143 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SK75GD12T4ETE2 |
Jednotka:: | ks |
Značení výrobce | SK75GD12T4ETE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Bridge 3f -SE(single emiter) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 6*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 6 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITOP-E2 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 34 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 84 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 68 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.49 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 570 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 4400 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.65 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.77 [°C/W] |
L - Délka | 57 [mm] |
W - Šířka | 63 [mm] |
H - Výška | 17 [mm] |