Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK80MB120CR03TE1

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK80MB120CR03TE1 Semikron
SK80MB120CR03TE1 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:186123
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK80MB120CR03TE1
Jednotka:: ks
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Základní informace:

Značení výrobceSK80MB120CR03TE1 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:2*FET-BD 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-E1 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:24 [g]
Malé balení (počet jednotek):15 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)82 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)32 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)11 [ns]
Qg (Total Gate Charge)236 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)[°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? SK80MB120CR03TE1 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace