Plně řízený můstek 1200V /98A
ID Code: | 134882 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SKDT100/12 |
Jednotka:: | ks |
množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Značení výrobce | SKDT100/12 |
Vývody: | Screw terminal |
Typ součástky: | Bridge 3f Controlled |
Kategorie | Bridge Standard Si |
Konfigurace: | Bridge 3f-C ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
Typ pouzdra: | MODUL |
Pouzdro: | SEMIPONT-23 |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 185 [g] |
Malé balení (počet jednotek): | 8 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 98 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.95 [VDC] ? Testovací podmínky: |
IR (zpětný proud) | 15000 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 500 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 50 [A/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5 [1000*A2s] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.141 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
W - Šířka | 48 [mm] |
L - Délka | 65 [mm] |
H - Výška | 36 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 65x48x36 [mm] |