Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SKIIP1213GB123-2DL

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIIP1213GB123-2DL Semikron
SKIIP1213GB123-2DL Semikron
ks
ID Code:172133
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 45 221,330 Kč
Cena bez DPH : 37 373,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiiP1213GB123-2DL
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 37 373,000 Kč45 221,330 Kč
9 + 31 144,000 Kč37 684,240 Kč
54 + 28 030,000 Kč33 916,300 Kč
216 + 26 473,000 Kč32 032,330 Kč


Základní informace:

Značení výrobceSKiiP1213GB123-2DL 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Typ součástky:Modul 
Konfigurace:Half Bridge (Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*IGBT+2*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SKiiP 3-2f 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:7780 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 
Velké balení (BOX):
Paleta (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1145 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)1145 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)882 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4300 [V]
UF (maximum forward voltage)1.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
Cin (Input Capacitance)1000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.024 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

W - Šířka 215 [mm]
L - Délka 200 [mm]
H - Výška 145 [mm]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Potřebujete poradit ? SKIIP1213GB123-2DL Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace