Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKIIP25AC12F4V19 M21

IGBT 1200V Hybrid IGBT

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIIP25AC12F4V19 M21 Semikron
SKIIP25AC12F4V19 M21 Semikron
ks
ID Code:185563
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 1 118,040000 Kč
Cena bez DPH : 924,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiiP25AC12F4V19 M21
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 924,000000 Kč1 118,040000 Kč
198 + 385,000000 Kč465,850000 Kč
792 + 358,000000 Kč433,180000 Kč
3168 + 345,000000 Kč417,450000 Kč
IGBT 1200V Slim lid. + termální pasta

Základní informace:

Značení výrobceSKiiP25AC12F4V19 M21 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 6 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :MiniSKiiP_2 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:55 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):24 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)62 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)51 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.6 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.05 [V]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)51 [ns]
Qg (Total Gate Charge)283 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]

Potřebujete poradit ? SKIIP25AC12F4V19 M21 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace