Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKIIP603GD172-3DUL

IGBT 1700V/570A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIIP603GD172-3DUL Semikron
SKIIP603GD172-3DUL Semikron
ks
ID Code:183785
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 87 318,440000 Kč
Cena bez DPH : 72 164,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiiP603GD172-3DUL
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 72 164,000000 Kč87 318,440000 Kč
9 + 60 137,000000 Kč72 765,770000 Kč
54 + 54 123,000000 Kč65 488,830000 Kč
216 + 51 117,000000 Kč61 851,570000 Kč
IGBT 1700V/570A

Základní informace:

Značení výrobceSKiiP603GD172-3DUL 
Typ součástky:IGBT-Trench/Fieldstop 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 6 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SKiiP3-GD 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:12000 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)587 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)453 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)5600 [V]
UF (maximum forward voltage)2.15 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
Cin (Input Capacitance)1000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]

Potřebujete poradit ? SKIIP603GD172-3DUL Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace