Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKIM459GD12F4V3

Hybrid SiC Trench IGBT Modules 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIM459GD12F4V3 Semikron
SKIM459GD12F4V3 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:186555
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiM459GD12F4V3
Jednotka:: ks
Hybrid SiC Trench IGBT Modules 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSKiM459GD12F4V3 
Typ součástky:IGBT-Trench/Fieldstop 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfigurace:Half Bridge 3*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 6 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SKiM-93 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1276 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)475 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)382 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.51 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.05 [V]
tr (Turn-on / rise time)27 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)75 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2550 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
L - Délka 160 [mm]
W - Šířka 150 [mm]
H - Výška 34.3 [mm]

Potřebujete poradit ? SKIM459GD12F4V3 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace