IGBT 1200V Hybrid SiC
ID Code: | 185571 |
Výrobce: | Semikron |
Cena: | na dotaz |
DPH: | 21 % |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SKM200GB12F4SiC3 |
Jednotka:: | ks |
Značení výrobce | SKM200GB12F4SiC3 |
Kategorie | IGBT Hybrid SiC |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITRANS-3 |
Typ materiálu: | SiC Hybrid |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ano |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 355 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 12 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 312 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 239 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.42 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.08 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 1134 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12300 [pF] |
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.115 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.42 [°C/W] |
RM - Rozteč vývodů | 28 [mm] |
L - Délka | 106.4 [mm] |
W - Šířka | 61.4 [mm] |
H - Výška | 30.5 [mm] |
Alternativa 1: | 173633 - SKM200GB12F4SiC2 (SMK) |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Celkem skladem: 9104 Výrobce: SEMIC EU |