Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SKM200GB12F4SiC3

IGBT 1200V Hybrid SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKM200GB12F4SiC3 Semikron
SKM200GB12F4SiC3 Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:185571
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKM200GB12F4SiC3
Jednotka:: ks
IGBT 1200V Hybrid SiC

Základní informace:

Značení výrobceSKM200GB12F4SiC3 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMITRANS-3 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:SiC Hybrid 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHAno 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:325 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)312 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)312 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)239 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.42 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.08 [V]
Input Logic Level (UGS level)20V 
fmax max.frequency (max./typ.)0.03 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1134 [nC]
Cin (Input Capacitance)12300 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.115 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.42 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:173633 - SKM200GB12F4SiC2 (SMK) 

Související zboží - SKM200GB12F4SiC3

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2-62x106mm  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks45,00043,00042,00037,000
Celkem skladem: 534
Výrobce: -  
RoHS
KvcAWG20-330-2.8-S-yellow KvcAWG20-330-2.8-S-yellow   vodič žlutý AWG20+FASTON 2.8Z+kryt ,UL 1007 délka = 0.33m
ID: 112542  
Množství [ks]1+100+200+500+
CZK/ks13,38012,12012,12012,122
Celkem skladem: 39
Výrobce: SEMIC CZ  
KvcAWG20-330-2.8-S-red KvcAWG20-330-2.8-S-red   vodič červený AWG20+faston 2.8Z+kryt ,UL1007, délky 300 mm
ID: 112541  
Množství [ks]1+100+200+500+
CZK/ks13,38012,12012,12012,120
Celkem skladem: 39
Výrobce: SEMIC CZ  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz SKM200GB12F4SiC3

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace